Semiconductor structure and method

WO2011028461 Art A1 10. März 2011

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011028461
Aktenzeichen: EP10747136
Anmeldetag: 23. August 2010
Veröffentlichung: 10. März 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8252H01L27/06H01L21/311

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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