Semiconductor device and method for manufacturing same
WO2011030396
Art A1
17. März 2011
Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011030396
- Aktenzeichen
- EP09849176
- Anmeldetag
- 8. September 2009
- Veröffentlichung
- 17. März 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/786H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Kabushiki Kaisha Toshiba
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
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