Semiconductor device provided with semiconductor substrate having diode zone and igbt zone

WO2011030454 Art A1 17. März 2011

Anmelder: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011030454
Aktenzeichen: EP09849232
Anmeldetag: 14. September 2009
Veröffentlichung: 17. März 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/04H01L21/322H01L21/336H01L21/76H01L21/761H01L21/8234H01L27/06H01L27/088H01L29/739H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toyota Motor Corporation

Japanischer Automobilhersteller mit Sitz in Toyota City, gegründet 1937. Entwickelt und produziert Pkw, Nutzfahrzeuge, Hybrid- und Wasserstoffantriebe sowie zugehörige Fahrzeugtechnologien.

22.464 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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