Thermally shielded resistive memory element for low programming current

WO2011031534 Art A1 17. März 2011

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011031534
Aktenzeichen: EP10752665
Anmeldetag: 27. August 2010
Veröffentlichung: 17. März 2011
Rechtsraum: WO
IPC: G11C13/02G11C16/02H01L45/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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