Methods and arrangement for plasma dechuck optimization based on coupling of plasma signaling to substrate position and potential
WO2011031590
Art A2
17. März 2011
Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011031590
- Aktenzeichen
- EP10815916
- Anmeldetag
- 31. August 2010
- Veröffentlichung
- 17. März 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/66H01L21/687H01L21/205H01L21/3065
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM Research Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
2.725 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.