Pulsed chemical vapor deposition of metal-silicon-containing films

WO2011031591 Art A1 17. März 2011

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011031591
Aktenzeichen: EP10815917
Anmeldetag: 31. August 2010
Veröffentlichung: 17. März 2011
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/455

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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