Method for manufacturing semiconductor device

WO2011033637 Art A1 24. März 2011

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011033637
Aktenzeichen: EP09849496
Anmeldetag: 17. September 2009
Veröffentlichung: 24. März 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8247H01L21/316H01L21/336H01L27/115H01L29/78H01L29/786H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Kabushiki Kaisha Toshiba
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.649 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen