Method for manufacturing semiconductor device

WO2011033676 Art A1 24. März 2011

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011033676
Aktenzeichen: EP09849535
Anmeldetag: 18. September 2009
Veröffentlichung: 24. März 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/268H01L21/3205H01L21/822H01L23/52H01L27/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Kabushiki Kaisha Toshiba
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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