Thin-Film Transistor
WO2011033749
Art A1
24. März 2011
Anmelder: Idemitsu Kosan Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011033749
- Aktenzeichen
- EP10816864
- Anmeldetag
- 10. September 2010
- Veröffentlichung
- 24. März 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/786H01L21/312H01L21/336H01L51/05H01L51/30
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Idemitsu Kosan Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Idemitsu Kosan
Japanisches Energie- und Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Aktiv in Mineralölverarbeitung, petrochemischen Produkten, Schmierstoffen sowie Materialien für organische Leuchtdioden (OLED).
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