Method for producing compound semiconductor crystal, method for manufacturing electronic device, and semiconductor substrate

WO2011033776 Art A1 24. März 2011

Anmelder: Sumitomo Chemical Company, Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011033776
Aktenzeichen: EP10816890
Anmeldetag: 16. September 2010
Veröffentlichung: 24. März 2011
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38H01L21/205H01L33/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Chemical Company, Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Chemical

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Petrochemie, Agrochemie, Pharmazeutika, Elektronikmaterialien, Energiematerialien und Kunststoffen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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