Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle oder eines Transistors mit einer Kristallinen Silizium-Dünnschicht

WO2011035848 Art A2 31. März 2011

Anmelder: Schott AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011035848
Aktenzeichen: EP10781414
Anmeldetag: 1. September 2010
Veröffentlichung: 31. März 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L31/18

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Schott AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 SCHOTT

Deutsches Technologieunternehmen mit Sitz in Mainz, spezialisiert auf Spezialglas und Glaskeramik für Pharma-, Optik-, Elektronik- und Haushaltsanwendungen.

1.694 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von