Resonant tunneling magnetoresistance effect element, magnetic memory cell, and magnetic random access memory
WO2011036752
Art A1
31. März 2011
Anmelder: Hitachi, Ltd., Tohoku University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011036752
- Aktenzeichen
- EP09849783
- Anmeldetag
- 24. September 2009
- Veröffentlichung
- 31. März 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L43/08H01L21/8246H01L27/105H01L29/82
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Hitachi, Ltd.
Tohoku University - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hitachi
Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.
21.184 Patente in unserer Datenbank
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
2.166 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
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