Volatile semiconductor memory device
WO2011036779
Art A1
31. März 2011
Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011036779
- Aktenzeichen
- EP09849810
- Anmeldetag
- 25. September 2009
- Veröffentlichung
- 31. März 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/8229H01L27/102H01L29/749
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Kabushiki Kaisha Toshiba
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
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