Field-effect transistor and integrated circuit

WO2011037003 Art A1 31. März 2011

Anmelder: Tohoku University, Waseda University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011037003
Aktenzeichen: EP10818679
Anmeldetag: 6. September 2010
Veröffentlichung: 31. März 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/66H01L21/822H01L27/04H01L29/06H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Tohoku University
Waseda University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tohoku University

Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.

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🇯🇵 Waseda University

Waseda University ist eine private japanische Universität mit Sitz in Tokio und breitem ingenieurwissenschaftlichem Forschungsprofil. Das Patentportfolio verteilt sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, Medizintechnik und Gesundheit sowie Mess- und Werkstofftechnik. Anmeldungen laufen kontinuierlich seit dem Jahr 2000.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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