Method for forming metal oxide film, method for forming manganese oxide film, and computer-readable storage medium

WO2011037090 Art A1 31. März 2011

Anmelder: Tokyo Electron Limited, Tohoku University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011037090
Aktenzeichen: EP10818763
Anmeldetag: 17. September 2010
Veröffentlichung: 31. März 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316C23C16/40H01L21/28H01L21/285H01L21/3205H01L23/52

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Tokyo Electron Limited
Tohoku University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Tohoku University

Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.

837 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von