High Normality Solution For Removing Freeze Material in Lithographic Applications
WO2011037809
Art A1
31. März 2011
Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011037809
- Aktenzeichen
- EP10819270
- Anmeldetag
- 16. September 2010
- Veröffentlichung
- 31. März 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/31G03F7/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tokyo Electron Limited
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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