Method and system for forming germanium on silicon

WO2011037961 Art A2 31. März 2011

Anmelder: Massachusetts Institute of Technology, The University of Tokyo 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011037961
Aktenzeichen: EP10819362
Anmeldetag: 22. September 2010
Veröffentlichung: 31. März 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Massachusetts Institute of Technology
The University of Tokyo
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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