Bias generating circuit, power amplifier module, and semiconductor device

WO2011039871 Art A1 7. April 2011

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011039871
Aktenzeichen: EP09850062
Anmeldetag: 30. September 2009
Veröffentlichung: 7. April 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H03F3/343H03F1/30

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik

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