Pattern forming method and composition for forming resist underlayer film

WO2011040340 Art A1 7. April 2011

Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011040340
Aktenzeichen: EP10820457
Anmeldetag: 24. September 2010
Veröffentlichung: 7. April 2011
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11G03F7/26H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JSR Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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