Method of filling deep trench in a substrate

WO2011041140 Art A2 7. April 2011

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011041140
Aktenzeichen: EP10821036
Anmeldetag: 17. September 2010
Veröffentlichung: 7. April 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768H01L21/311

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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