Semiconductor device and method of fabricating the semiconductor device
WO2011041515
Art A1
7. April 2011
Anmelder: Arkansas Power Electronics International, Inc., Rohm Co., Ltd. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011041515
- Aktenzeichen
- EP10821236
- Anmeldetag
- 30. September 2010
- Veröffentlichung
- 7. April 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/44
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Arkansas Power Electronics International, Inc.
Rohm Co., Ltd. - Land
- 🇺🇸 USA
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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