Methods for multi-step copper plating on a continuous ruthenium film in recessed features
WO2011041522
Art A2
7. April 2011
Anmelder: Tokyo Electron Limited, Novellus Systems, Inc. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011041522
- Aktenzeichen
- EP10763281
- Anmeldetag
- 30. September 2010
- Veröffentlichung
- 7. April 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- B05D5/00B05D7/22C25D5/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Tokyo Electron Limited
Novellus Systems, Inc. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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