Low dielectric constant insulating film and formation method therefor
WO2011043337
Art A1
14. April 2011
Anmelder: Tohoku University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011043337
- Aktenzeichen
- EP10822007
- Anmeldetag
- 5. Oktober 2010
- Veröffentlichung
- 14. April 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/312C23C16/42
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tohoku University
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
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Vertreten von
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