Thin film, method for forming same, and semiconductor light-emitting element comprising the thin film

WO2011043414 Art A1 14. April 2011

Anmelder: Tohoku University, Rohm Co., Ltd., Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011043414
Aktenzeichen: EP10822084
Anmeldetag: 7. Oktober 2010
Veröffentlichung: 14. April 2011
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/40C23C16/511H01L21/365H01L33/42

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Tohoku University
Rohm Co., Ltd.
Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tohoku University

Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.

837 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

837 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von