Semiconductor device structure and method for manufacturing the same
WO2011044833
Art A1
21. April 2011
Anmelder: CSMC Technologies Fab1 Co., Ltd., CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011044833
- Aktenzeichen
- EP10823063
- Anmeldetag
- 12. Oktober 2010
- Veröffentlichung
- 21. April 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L23/52H01L23/522
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- CSMC Technologies Fab1 Co., Ltd.
CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. - Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
CSMC Technologies Fab2
CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.
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