Semiconductor Nanocrystal-Based Infrared Source Built Into Silicon
WO2011045289
Art A1
21. April 2011
Anmelder: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011045289
- Aktenzeichen
- EP10765788
- Anmeldetag
- 11. Oktober 2010
- Veröffentlichung
- 21. April 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L51/50H01L51/52G01N21/00H01L31/12H05B33/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
Die Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) ist eine französische staatliche Forschungseinrichtung mit Schwerpunkt Kernenergie, alternative Energien und Grundlagenforschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Mess- und Prüftechnik, ergänzt durch Software, Energietechnik und Werkstoffkunde. Anmeldungen sind seit 2000 durchgehend belegt.
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