Semiconductor device and manufacturing method thereof

WO2011046003 Art A1 21. April 2011

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011046003
Aktenzeichen: EP10823271
Anmeldetag: 9. September 2010
Veröffentlichung: 21. April 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786G02F1/1368H01L21/28H01L21/3205H01L21/336H01L21/768H01L23/52H01L27/06H01L27/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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