Herstellungsverfahren für ein Siliciumcarbidsubstrat, Siliciumcarbidsubstrat und Halbeiterbauelement

WO2011046020 Art A1 21. April 2011

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011046020
Aktenzeichen: EP10823288
Anmeldetag: 29. September 2010
Veröffentlichung: 21. April 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/28H01L21/336H01L29/12H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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