Gas field ionization ion source and ion beam device

WO2011046116 Art A1 21. April 2011

Anmelder: Hitachi High-Technologies Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011046116
Aktenzeichen: EP10823384
Anmeldetag: 12. Oktober 2010
Veröffentlichung: 21. April 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01J27/26H01J37/08H01J37/317

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Hitachi High-Technologies Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi High-Tech Corporation

Japanisches Unternehmen der Hitachi-Gruppe, spezialisiert auf Analysegeräte, medizinische Diagnostik und Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie.

3.840 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von