Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
WO2011049128
Art A1
28. April 2011
Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011049128
- Aktenzeichen
- EP10824977
- Anmeldetag
- 20. Oktober 2010
- Veröffentlichung
- 28. April 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/52H01L21/28H01L23/50
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Rohm Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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