Heating plate with planar heater zones for semiconductor processing
WO2011049620
Art A2
28. April 2011
Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011049620
- Aktenzeichen
- EP10825327
- Anmeldetag
- 20. Oktober 2010
- Veröffentlichung
- 28. April 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/68
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM Research Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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