Rf isolation for power circuitry

WO2011049993 Art A2 28. April 2011

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011049993
Aktenzeichen: EP10825549
Anmeldetag: 19. Oktober 2010
Veröffentlichung: 28. April 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H05H1/36H01L21/3065H02M7/48

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektrische Energietechnik Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von