Method for repairing low-k dielectric damage

WO2011050062 Art A2 28. April 2011

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011050062
Aktenzeichen: EP10825590
Anmeldetag: 20. Oktober 2010
Veröffentlichung: 28. April 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3105H01L21/311

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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