Epitaxial wafer, method of producing epitaxial wafer, light-emitting element wafer, method of producing light-emitting element wafer, and light-emitting element

WO2011052395 Art A1 5. Mai 2011

Anmelder: FUJIFILM Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011052395
Aktenzeichen: EP10826529
Anmeldetag: 7. Oktober 2010
Veröffentlichung: 5. Mai 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/22

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJIFILM Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujifilm

Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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