Thin Film Transistors Having Multiple Doped Silicon Layers

WO2011056710 Art A2 12. Mai 2011

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011056710
Aktenzeichen: EP10828929
Anmeldetag: 28. Oktober 2010
Veröffentlichung: 12. Mai 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786G02F1/136

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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