Memory device and method for sensing a content of a memory cell

WO2011058394 Art A1 19. Mai 2011

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011058394
Aktenzeichen: EP09851228
Anmeldetag: 12. November 2009
Veröffentlichung: 19. Mai 2011
Rechtsraum: WO
IPC: G11C7/06G11C7/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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