Semiconductor device

WO2011058852 Art A1 19. Mai 2011

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011058852
Aktenzeichen: EP10829812
Anmeldetag: 13. Oktober 2010
Veröffentlichung: 19. Mai 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/749H01L21/28H01L21/8234H01L27/04H01L27/08H01L27/088H01L29/12H01L29/417H01L29/423H01L29/49H01L29/78H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

4.187 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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