Sputtering target and method for manufacturing the same, and transistor

WO2011058867 Art A1 19. Mai 2011

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011058867
Aktenzeichen: EP10829827
Anmeldetag: 19. Oktober 2010
Veröffentlichung: 19. Mai 2011
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/34H01L21/336H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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