Group-iii nitride crystal substrate, group-iii nitride crystal substrate with epitaxial layer, semiconductor device and method of manufacturing thereof

WO2011058870 Art A1 19. Mai 2011

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011058870
Aktenzeichen: EP10829830
Anmeldetag: 25. Oktober 2010
Veröffentlichung: 19. Mai 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/32C30B29/38C30B33/00H01L21/205H01S5/323

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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