Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

WO2011058977 Art A1 19. Mai 2011

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011058977
Aktenzeichen: EP10829936
Anmeldetag: 9. November 2010
Veröffentlichung: 19. Mai 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/12H01L21/60H01L23/00H01L23/29H01L23/31

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

2.771 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von