Silicon-based anode and method for manufacturing the same

WO2011060433 Art A1 19. Mai 2011

Anmelder: Georgia Tech Research Corporation, Clemson University 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011060433
Aktenzeichen: EP10830914
Anmeldetag: 16. November 2010
Veröffentlichung: 19. Mai 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01M4/48C01B33/113

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Georgia Tech Research Corporation
Clemson University
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Georgia Tech Research Corporation

Die Georgia Tech Research Corporation ist die Einrichtung des Georgia Institute of Technology in den USA, die Forschungsverträge verwaltet und geistiges Eigentum der Universität lizenziert.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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