Transparent electrode substrate, precursor transparent electrode substrate, and method for manufacturing transparent electrode substrate

WO2011061982 Art A1 26. Mai 2011

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011061982
Aktenzeichen: EP10831381
Anmeldetag: 27. August 2010
Veröffentlichung: 26. Mai 2011
Rechtsraum: WO
IPC: G02F1/1343G02F1/1335H01B5/14

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

22.800 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

Vertreten von