Method of producing semiconductor device, and method of producing dynamic threshold transistor

WO2011064891 Art A1 3. Juni 2011

Anmelder: Fujitsu Microelectronics Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011064891
Aktenzeichen: EP09851681
Anmeldetag: 30. November 2009
Veröffentlichung: 3. Juni 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336H01L21/8238H01L27/092H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fujitsu Microelectronics Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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