Ruthenium-film forming material and ruthenium-film forming method

WO2011065221 Art A1 3. Juni 2011

Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011065221
Aktenzeichen: EP10833068
Anmeldetag: 9. November 2010
Veröffentlichung: 3. Juni 2011
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/06

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: JSR Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

1.781 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von