Ultra-shallow junction and method for forming the same

WO2011066786 Art A1 9. Juni 2011

Anmelder: CSMC Technologies Fab1 Co., Ltd., CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011066786
Aktenzeichen: EP10834219
Anmeldetag: 29. November 2010
Veröffentlichung: 9. Juni 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/265H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: CSMC Technologies Fab1 Co., Ltd.
CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 CSMC Technologies Fab2

CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.

392 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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