Method for manufacturing semiconductor device

WO2011067821 Art A1 9. Juni 2011

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011067821
Aktenzeichen: EP09851829
Anmeldetag: 4. Dezember 2009
Veröffentlichung: 9. Juni 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/205H01L21/336H01L21/8234H01L27/06H01L27/088H01L29/06H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Kabushiki Kaisha Toshiba
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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