Method of forming high-germanium component channel material layer

WO2011069370 Art A1 16. Juni 2011

Anmelder: Tsinghua University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011069370
Aktenzeichen: EP10835405
Anmeldetag: 21. Juli 2010
Veröffentlichung: 16. Juni 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tsinghua University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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