Focused ion beam device and focused ion beam processing method

WO2011070727 Art A1 16. Juni 2011

Anmelder: Hitachi High-Technologies Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011070727
Aktenzeichen: EP10835658
Anmeldetag: 15. November 2010
Veröffentlichung: 16. Juni 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01J37/317H01J37/09

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Hitachi High-Technologies Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi High-Tech Corporation

Japanisches Unternehmen der Hitachi-Gruppe, spezialisiert auf Analysegeräte, medizinische Diagnostik und Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie.

3.840 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von