Semiconductor device and manufacturing method thereof

WO2011070901 Art A1 16. Juni 2011

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011070901
Aktenzeichen: EP10835823
Anmeldetag: 12. November 2010
Veröffentlichung: 16. Juni 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786G02F1/1368H01L21/28H01L21/336H01L21/8234H01L27/08H01L27/088H01L51/50

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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