Dual silicon wafer stage exchange method and system for lithographic apparatus
WO2011072597
Art A1
23. Juni 2011
Anmelder: Tsinghua University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011072597
- Aktenzeichen
- EP10837034
- Anmeldetag
- 14. Dezember 2010
- Veröffentlichung
- 23. Juni 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F7/20H01L21/677H01L21/68
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tsinghua University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Tsinghua University
Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.
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